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項次 |
專利名稱 |
申請國家 |
申請日期 |
獲准日期 |
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1 |
可撓性基材圖案轉移製程 |
中華民國 |
92.6.24 |
93.8.11 |
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2 |
低溫可撓性基材圖案轉移製程 |
中華民國 |
92.6.24 |
92.12.21 |
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3 |
高深寬比圖案轉移製程 |
中華民國 |
92.7.31 |
93.8.11 |
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4 |
透明電極之製作方法 |
中華民國 |
93.1.27 |
94.2.21 |
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5 |
反向感光壓印圖案轉移技術 |
中華民國 |
93.2.05 |
94.6.11 |
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6 |
非平整面之壓印技術 |
中華民國 |
93.2.10 |
- |
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7 |
於基板上製作具有圖案之透明導電膜之方法 |
中華民國 |
93.2.24 |
94.3.01 |
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8 |
壓印製程 |
中華民國 |
93.2.24 |
- |
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9 |
微奈米壓印技術之基版的前處理製程 |
中華民國 |
93.8.27 |
94.9.21 |
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10 |
凝膠壓印製程 |
中華民國 |
94.2.23 |
- |
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11 |
具酸性高分子材料之壓印圖案轉移方法 |
中華民國 |
94.2.25 |
- |
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12 |
以矽化酸性高分子材料之壓印圖案轉移製程 |
中華民國 |
94.3.16 |
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13 |
無殘留層之逆式微奈米壓印製程 |
中華民國 |
94.3.31 |
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14 |
逆式壓印圖案化之改質脫模 |
中華民國 |
94.4.06 |
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15 |
可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法 |
中華民國 |
94.8.03 |
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16 |
奈米壓印之三維(3-D)模板製程 |
中華民國 |
94.8.10 |
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17 |
焦耳加熱方式輔助高溫壓印 |
中華民國 |
94.8.09 |
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18 |
新型多重壓印技術之奈米尺度對位方法 |
中華民國 |
撰寫中 |
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19 |
增加奈米壓印製程阻劑流動性之方法 |
中華民國 |
撰寫中 |
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20 |
Method for high aspect ratio pattern transfer |
美國 |
94.4.01 |
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21 |
Pretreatment process of a substrate in micro / nano imprinting technology |
美國 |
94.4.18 |
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22 |
Imprint Lithography Utilizing Silated Acidic Polymers |
美國 |
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