高解析掃描電子顯微鏡
（High Resolution Scanning Electron Microscope）
顯微電鏡是一種觀察表面微觀世界的全能分析顯微鏡，具有景深長及高解析的特點。本儀器為日本
Hitachi SU8000
場發射掃描式電子顯微鏡，利用加負壓於金屬尖端上，以強電場將電子吸出尖端而形成很微小的電子束，在極高的真空中操作（~10-10
torr）可得到高品質分辨率的影像(15KV；1nm解析度)。
本儀器並配置能量分散式光譜儀（Energy Dispersive Spectrometer
簡稱 EDS）及 可作元素（Boron
以上）之定性及半定量分析，並提供了真空鍍膜設備服務。
本儀器提供高解析度影像、微區化學組成分析、多功能解析、試片製備容易等優點，適用於材料、半導體、光電、太陽能電池、奈米材料、
機械、物理、冶金等領域，其應用非常廣泛，並符合數位化、電腦化、自動化的操作，對於學術研究有非常大的發展空間。
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廠牌及型號:HITACHI SU8000
購製日期:99年12月
儀器規格:
1. 二次電子解析： |
1.0nm(15KV時) |
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1.4nm(1KV時) |
| 2. 放大倍率： |
LM(低倍率)20-2,000X |
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HM(高倍率)100-800,000X |
| 3. 加速電壓： |
0.5~30KV(一般模式) |
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0.1~2.0KV(減速模式) |
一. 影像觀察及照相：
(1) SEI(Secondary Electron Image): 奈米材料、金屬、陶瓷、薄膜等物體材料之顯微影像表面
形貌觀察，並附有距離量測功能。
(2) BEI(Backscattered Electron Image): 含有LA-BSE(Low-angle BSE)及HA-BSE(High-angle
BSE)兩種模式，可進行成份組成及重元素鑑別分析。
二. 能量分散式光譜儀：微區顯微結構之定性、半定量及元素分佈分析(Mapping及Linescanning)。
(1) 試件取樣直徑最大不超過15㎜，最大高度3㎜，試件請自行前處理 (本設備樣品載台約2cm)。 (2) 如為非導體，請務必作固定及蒸鍍處理。 (3) 試件需不含水分、強磁性、揮發性物質。 (4) 本儀器為先進之高解析精密儀器，為預防污染真空腔體，拒絕受理含有毒性、腐蝕性、
揮發性及低熔點之高分子、生物、粉末、磁性等之試件。 (5) 如對樣品是否能進入拍攝有任何疑問者，請務必先與技術人員討論。
(1) 操作每一單元三小時，收燈絲維護費2000元。 (2) EDS 元素分析每次外加收費200元(包括Mapping及Linescanning)。 (3) 真空蒸鍍金膜一次收費200元。
(1)每月26日早上11:00開放下個月份使用時段(由國科會貴儀資訊管理系統預約)。 (2)由於負責本設備技術員另協助操作二次離子質譜儀，首次欲使用本儀器使用者,請於預約前先與技術人員接洽。 (3)已完成預約之使用者,請於使用當日的前一天先行查詢儀器狀況。 (4)已完成預約,若欲取消,請於使用日前一天上網取消,否則須計基本使用費。
申請表格
成功大學自強校區儀設大樓2F 0208室
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